RAM: the forgotten history (2024)
2 days ago
- 早期电子存储器使用继电器，其开关速度慢，且对于主存储器来说是死胡同。
- 由埃克尔斯和乔丹发明的真空管SR锁存器构成了现代SRAM的基础，但成本高昂且功耗大。
- 动态存储器如电容鼓（阿塔纳索夫-贝里计算机）、延迟线（水银、扭力）和阴极射线管（威廉姆斯/塞莱克特龙）通过定期刷新提供了更便宜的存储。
- 磁芯存储器从1950年代到1970年代占主导地位，通过具有阈值磁化的铁氧体磁珠提供了速度和非易失性。
- 第一个单芯片SRAM（Intel 3101，64位）和DRAM（Intel 1103，1千位）标志着向集成电路存储器的转变，最终取代了磁芯。
- 现代DRAM在硅上使用电容器，比SRAM占用更少的空间，但速度较慢且需要刷新；SRAM仍用于CPU的高速缓存。