China breakthrough in indium selenide (InSe) wafers with perfect stoichiometry
10 months ago
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- 中国科学家研发出大规模生产高质量硒化铟的方法，这种材料被称为'黄金半导体'。
- 该研究成果由北京大学和中国人民大学的研究团队发表在《科学》杂志上。
- 硒化铟性能优于硅基技术，但此前因难以保持正确的原子比例而面临大规模生产挑战。
- 新技术通过在密封条件下加热非晶态硒化铟薄膜和固体铟来生产高质量晶体。
- 研究团队成功制备出直径5厘米的硒化铟晶圆，适用于集成芯片器件。
- 这一突破可能催生用于人工智能、自动驾驶和智能终端的下一代芯片。
- 《科学》杂志审稿人称赞该成果是'晶体生长领域的重大进展'。