Study: Single-crystal nanowires of niobium arsenide may replace copper wires
a day ago
- 康奈尔大学研究人员开发出砷化铌纳米线，作为铜微芯片互连材料的潜在替代品。
- 与铜在纳米尺度下导电性降低不同，砷化铌作为拓扑半金属，其导电性随着厚度变薄而提高。
- 研究团队采用热机械纳米成型技术制备了单晶纳米线，精度可控至10纳米级别。
- 该方法能快速筛选材料，合成通量较以往技术提升十倍。
- 砷化铌在室温下仍能保持稳定的高导电性，这为未来量子材料提供了可行的概念验证。