Researchers develop picosecond-level flash memory device
a year ago
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- 复旦大学研究人员研制出编程速度为400皮秒的皮秒级闪存器件
- 该器件每秒可运行250亿次，成为目前已知最快的半导体电荷存储器件
- 这一突破对大型AI模型的超高速运算具有重要意义
- 其速度相当于眨眼间完成10亿次操作，远超此前记录
- 相关研究以《PoX》为题发表于《自然》期刊
- 该突破解决了信息存储的速度瓶颈，对AI和集成电路发展至关重要
- 非易失性存储技术是实现AI计算超低功耗的关键
- 研究团队创新性运用二维狄拉克能带结构与弹道输运特性相结合的物理机制
- 超注入机制将非易失性存储器速度推至理论极限
- 这项技术有望重塑全球存储格局，支撑我国在相关领域保持领先地位