Samsung Debuts zHBM Prototype, Stacking Memory Directly on AI Accelerators
24 days ago
- 三星发布了zHBM，一种将HBM垂直堆叠在AI加速器上的3D架构，性能提升高达8倍，能效提升3倍。
- 该公司推出了zNAND-O，一种采用TSV技术的高性能NAND闪存，适用于设备端AI，展示了4层和8层配置。
- V10 BV-NAND采用超过400层晶圆键合技术，密度提高58%，读写性能提升。
- 其他展示的技术包括HBM4E、带有热路径块的HBM5、具备内存内计算的LPDDR5X-PIM以及AI优化的企业级SSD。
- 三星强调其作为集成设备制造商的独特地位，提供从设计到量产的端到端解决方案。