Intel Starts Shipping High-NA EUV Silicon
4 days ago
- 英特尔已开始在Intel 18A工艺上为其Panther Lake笔记本处理器（酷睿Ultra系列3）高量产高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）。
- 高数值孔径极紫外光刻使用0.55数值孔径，提高了分辨率并减少了对多重图案化的需求，但成本更高且场尺寸更小。
- 英特尔在18A工艺上使用High-NA，作为未来节点（如14A和10A）的学习步骤，在这些节点上该技术变得更加必要。
- 单次High-NA曝光的成本约为Low-NA的2.5倍，但对于需要三个或更多掩模的复杂图案，它可能更便宜。
- ASML每年建造12-15台High-NA系统，订单来自英特尔、SK海力士、三星和IBM。
- 生产型EXE:5200B扫描仪每小时约可处理175片晶圆，且覆盖精度提高，减少了拼接开销。
- Panther Lake的层在Low-NA和High-NA上均通过了双重认证，确保了良率一致性，这些芯片将作为标准产品销售，无需特殊的SKU区分。