Intel Makes Chipmaking History with High-NA EUV Panther Lake Production6 days agohttps://hothardware.com/news/intel-first-high-na-euv-production英特尔已成功实现Panther Lake芯片使用高数值孔径极紫外光刻技术的双认证。高数值孔径极紫外光刻采用0.55的数值孔径，可在单次曝光中印刷出比标准极紫外光刻小60%的特征尺寸。这消除了多重图案化技术的需求，从而减少了制造时间、缺陷和成本。在使用阿斯麦价值4亿美元的Twinscan EXE高数值孔径设备加工的晶圆上，良率已与英特尔成熟平台持平。这一里程碑证明高数值孔径技术具备商业可行性，尽管行业存在质疑，但标志着阿斯麦取得重大胜利。
Intel Starts Shipping High-NA EUV Silicon4 days agohttps://morethanmoore.substack.com/p/intel-starts-shipping-high-na-euv英特尔已开始在Intel 18A工艺上为其Panther Lake笔记本处理器（酷睿Ultra系列3）高量产高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）。高数值孔径极紫外光刻使用0.55数值孔径，提高了分辨率并减少了对多重图案化的需求，但成本更高且场尺寸更小。英特尔在18A工艺上使用High-NA，作为未来节点（如14A和10A）的学习步骤，在这些节点上该技术变得更加必要。单次High-NA曝光的成本约为Low-NA的2.5倍，但对于需要三个或更多掩模的复杂图案，它可能更便宜。ASML每年建造12-15台High-NA系统，订单来自英特尔、SK海力士、三星和IBM。生产型EXE:5200B扫描仪每小时约可处理175片晶圆，且覆盖精度提高，减少了拼接开销。Panther Lake的层在Low-NA和High-NA上均通过了双重认证，确保了良率一致性，这些芯片将作为标准产品销售，无需特殊的SKU区分。